2005年4月7日，北京市科委对我校承担的“北京光电子技术实验室” 建设项目进行了验收。验收会由北京市科委先进制造技术办公室主任侯国光主持。专家组由中科院半导体所陈良惠院士担任组长，成员有中科院半导体所杨辉研究员，中科院物理所周均铭研究员，清华大学罗毅教授，北京邮电大学任晓敏教授。
北京光电子技术实验室是在北京市科委领导下，于1993年10月在北京工业大学成立。通过一期建设，实验室已初具规模。
为使实验室水平更上一个台阶，市科委继续支持实验室进行二期建设。项目名称定为《北京光电子技术实验室》，执行年限1999年－2004年，目标是通过二期实验室建设在原有基础上，完成高水平器件和重大成果，并将其迅速转化为生产力，满足国内需求，为北京市做贡献。
实验室在“高效大功率多有源区耦合大光腔半导体激光器”、 “高效逐级增强发光二极管”、“新型红外探测器(低温和室温两种)”和“SiGe/Si异质结超高速晶体管及集成电路”方面开展了研究工作。 在五年的建设中，北京市科委、北京工业大学等部门投入了大量资金。
目前该室已经有1200平米实验室，超净室面积600平米，引进了国际先进的MOCVD生长系统及相关测试设备，建成了一条先进的光电子器件研发线。2004年北京光电子技术实验室正式成为北京市和教育部共建的教育部重点实验室，成为目前国内一流的光电子器件研发和人才培养基地。
五年中实验室已经获得了国家发明专利4项，另有10项发明专利正在审查中；一项国际发明专利也已经通过了一期审查。
